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专利摘要显示，本发明公开了一种奥氏体晶粒临界粗化温度测定方法，涉及奥氏体晶粒临界粗化温度测定技术领域；本发明包括将制备的试样放置于超高温激光共聚焦显微镜的坩埚内，抽真空后充入惰性气体，对试样进行加热，先快速加热，直至观察到奥氏体晶粒出现并开始长大，随即慢速加热直至奥氏体晶粒长大速度开始减缓；在加热过程中通过超高温激光共聚焦显微镜观察并记录高碳钢奥氏体晶粒度的长大过程；每隔一个温度段对奥氏体晶粒度进行测定；建立以温度为横坐标，奥氏体晶粒度为纵坐标的二维坐标图，在图中出现晶粒长大拐点对应的横坐标即为奥氏体晶粒临界粗化温度；本发明原位观察奥氏体晶粒长大过程，通过其长大速率的突变确定奥氏体晶粒临界粗化温度。
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